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O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
22
1
0
70
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 950 mA
f = 880 MHz
TC
= ?30
C
?30C
85C
10
21
20
18
16
60
50
40
30
20
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Gps
ηD
G
ps
, POWER GAIN (dB)
Figure 12. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
VDD
= 12 V
16 V
G
ps
, POWER GAIN (dB)
250
16
21
0
17
19
18
20
IDQ
= 950 mA
f = 880 MHz
19
17
15
10
25C
50 100 200150
20 V
24 V
28 V
32 V
200
85C
25C
100 120 140 160 180 200
210
109
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
108
107
MTTF FACTOR (HOURS X AMPS
2
)
90 110 130 150 170 190
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
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